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RH6P040BHTB1  与  BSZ150N10LS3 G  区别

型号 RH6P040BHTB1 BSZ150N10LS3 G
唯样编号 A3-RH6P040BHTB1 A-BSZ150N10LS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@40A,10V 15mΩ
上升时间 - 4.6ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 59W 63W
Qg-栅极电荷 - 26nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 21S
典型关闭延迟时间 - 23.4ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 -
连续漏极电流Id 40A 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 3.3mm
下降时间 - 3.9ns
典型接通延迟时间 - 8.1ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

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